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Les études cinétiques du déclin de la photoconductivité persistante peuvent trancher entre des interprétations concurrentes. Cet article traite du déclin temporel de la conductivité excédentaire après illumination à basse température et séparation spatiale des porteurs. Le déclin initial est rapide car les porteurs rapprochés se recombinen; le déclin ultérieur est retardé. Des expressions analytiques sont dérivées pour divers profils de pièges. Les hétérostructures épitaxiales GaAs et les interfaces d'AlₗGa₁-ₗAs-GaAs sont étudiées; les résultats sont conformes à la théorie, qui prédit un déclin essentiellement logarithmique dans le temps.
Queisser et al. (Sat,) ont étudié cette question.
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