Les effets de la capacitance de sortie MOSFET dans les applications haute fréquence

Dans les convertisseurs de puissance haute fréquence (ceux avec des fréquences de commutation >200 kHz), les pertes associées à la charge et à la décharge de la capacitance de sortie du MOSFET commencent à affecter l'efficacité du système. Il est noté que connaître ces pertes améliore les prévisions de la fréquence à laquelle les topologies résonantes commutées à zéro volt deviennent plus efficaces que les convertisseurs commutés à zéro courant ou des dispositifs à onde carrée associés. Il est montré des manières d'estimer ces pertes. L'accent est mis sur la détermination des pertes dues à C/sub dg/, car elles sont particulièrement difficiles à calculer. On observe que le concept de charge de grille a considérablement amélioré la compréhension des caractéristiques d'entrée du MOSFET, et il y a un certain avantage à appliquer des concepts de charge similaires aux capacitances de sortie. Un résumé rapide des concepts de charge de grille pose les bases d'un examen approfondi sur la façon dont les données de charge de grille et les pertes dues à C/sub dg/ sont liées.