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Nous rapportons la fabrication et la mesure de points quantiques en silicium avec des barrières de tunnel ajustables dans un transistor à effet de champ à canal étroit. Une spectroscopie de transport à basse température est réalisée à la fois dans le régime de nombreux electrons (environ 100 electrons) et dans le régime de quelques electrons (environ 10 electrons). Les états excités dans la spectroscopie de biais fournissent des preuves de la confinement quantique. Ces résultats démontrent que les portes de déplétion sont une technique efficace pour définir des points quantiques dans le silicium.
Angus et al. (Jeu,) ont étudié cette question.