Détente exponentielle étendue résultant de la diffusion dispersive de l'hydrogène dans le silicium amorphe

Dans cet article, nous constatons que la détente exponentielle étendue couramment observée dans les systèmes désordonnés est expliquée par une diffusion atomique dépendante du temps. La détente est observée dans les propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H), un matériau de type « verre d'hydrogène », et reflète l'équilibrage des états électroniques localisés. La détente est attribuée au mouvement de l'hydrogène lié qui présente une diffusion dispersive avec une dépendance temporelle caractéristique de la loi de puissance. Une relation quantitative entre la détente et la diffusion est établie.