Nous avons étudié l'impact de la température de croissance sur la concentration de trous dans l'AlGaN polarisé dopé avec une haute fraction molaire d'AlN sur AlN, sans dopage au Mg. Une température de croissance significativement plus basse (environ 800 °C) entraîne une concentration de trous plus élevée de 5 × 10^18 cm−3 à température ambiante dans l'AlGaN polarisé dopé sans dopage au Mg, par rapport aux températures de croissance traditionnelles supérieures à 1000 °C. De plus, une concentration de trous de 1 × 10^18 cm−3 a été observée même à 80 K dans une telle couche d'AlGaN sans dopage au Mg, indiquant que la concentration de trous de 1 × 10^18 cm−3 a été induite uniquement par le dopage par polarisation. Auparavant, les concentrations de trous dans de telles couches d'AlGaN dépendaient d'une combinaison de dopage par polarisation et de dopage au Mg. Nos résultats démontrent qu'une faible température de croissance permet d'atteindre une forte concentration de trous même sans dopage au Mg.
Takehisa et al. (Mon,) ont étudié cette question.