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Les propriétés optiques et électriques des films d'oxyde conducteur transparent d'oxyde d'étain SnO2 non dopé et dopé et d'In2O3 préparés par la méthode de pulvérisation par pyrolyse ont été étudiées. Les constantes optiques extraites des mesures de transmittance et de réflectance entre 0,25 et 3 µm sont interprétées pour donner des valeurs du gap de bande direct autorisé (4,54 eV pour SnO2:F et 3,80 eV pour ITO) et du gap de bande indirect interdit (2,77 eV pour SnO2 et 2,90 eV pour ITO). Les films typiques de SnO2:F et ITO présentent une transmission élevée (environ 85 %) et des résistivités d'environ (9*10^-3-5*10^-4) Ω cm et 10^-1 Ω cm respectivement. Des figures de mérite appropriées permettent de faire une comparaison utile des propriétés physiques des différents films.
Demichelis et al. (Sat,) ont étudié cette question.