Structure électronique de SnS2, SnSe2, CdI2 et PbI2

Les structures de bandes des composés en couches SnS2, SnSe2, CdI2 et PbI2 sont calculées par la méthode du tight-binding. Elles sont en meilleur accord avec les résultats expérimentaux et les calculs pseudopotentiels précédents que les résultats de tight-binding précédents. Une structure de bande universelle pour la famille est trouvée en utilisant des énergies de bande algébriques approximatives. Pour les cristaux à 16 électrons, un gap indirect Gamma2 à L1+ et une transition optique principale due aux orbitales p des anions et p des cations est trouvée, tandis que pour PbI2, le gap est direct à A.