界面滑りを介して強誘電性スニグソス単層によって復活した単位セル厚BaTiO3の調整可能な多状態強誘電性

原子スケールでの複数の偏極状態の安定化は、現在の二状態強誘電体アーキテクチャを超えた高密度メモリデバイスの実現にとって重要です。ここでは、二次元強誘電体であるSnSまたはGeSeが三次元強誘電体BaTiOの強誘電秩序を復活させ、安定化できることを示します。