투명 파장 영역에서 MBE 성장한 AlxGa(1−x)As 3원 합금의 굴절률

AlxGa(1−x)As 3원 합금을 기술적으로 관련된 조성 범위인 x < 0.45에서 분자빔 에피택시(MBE)로 성장시키고, 밴드갭 아래의 파장 영역에서 정확한 굴절률 값을 제공하기 위해 분광 엘립소미터를 사용하여 특성을 분석했습니다. 특히 1.3 µm 및 1.55 µm의 O-대역 및 C-대역 통신 파장과 825 nm에 주목했습니다. MBE는 성장층 두께에 대해 매우 높은 정확도를 제공했으며, 합금의 정밀한 조성과 밴드갭 값은 고해상도 X-선 회절 및 광발광을 통해 확인되어 굴절률 모델 적합의 정확성을 향상시켰습니다. 이 연구는 넓은 스펙트럼 범위에서 MBE 성장한 AlxGa(1−x)As에 대한 첫 번째 체계적인 연구입니다. 또한 매우 엄격한 측정-적합 절차를 사용하였으며, 이에 대해 자세히 설명합니다.