SrBi/sub 2/Ta/sub 2/O/sub 9/ 박막을 사용하는 금속-강유전-반도체(MFS) FET로 구성된 전기적으로 수정 가능한 시냅스 배열

금속-강유전-반도체 필드 효과 트랜지스터(MFSFET)의 배열이 SrBi/sub 2/Ta/sub 2/O/sub 9/를 게이트 절연체로 사용하는 실리콘-절연체(SOI) 구조 위에 제작되었다. 각 FET는 SrBi/sub 2/Ta/sub 2/O/sub 9/ 필름의 부분적 편극으로 인해 비휘발성 아날로그 메모리로서 우수한 특성을 나타내고, 이 배열은 인공 신경망에서 가중합 연산을 수행하기 위한 전기적으로 수정 가능한 시냅스 회로로 작동함을 보여준다.