매우 짧은 파장(621.4 nm)에서의 실온 펄스 작동 InGaAsP 레이저

실온에서 621.4 nm의 매우 짧은 파장을 가진 InGaAsP/InGaAsP 이중 이종 구조 레이저 다이오드가 시연되었고, 그 성장 조건에 대해 설명되었다. 레이저 다이오드는 액상 육종법에 의해 GaAs 0.61 P 0.39 기판 위에 성장된 InGaAsP로 구성되었다. 그 임계 전류 밀도는 실온 펄스 작동에서 약 1.19×10 5 A/cm 2였다.