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RF 에너지 하베스팅은 무선 통신 전자 장치의 일부 회로를 구동하는 데 필요한 소량의 전력을 생성할 수 있는 유망한 미래를 제시합니다. 본 논문에서는 RF 에너지 하베스팅 분야에서 달성한 개요와 진전을 제시합니다. 기존 CMOS 기반의 전압 배가 회로의 수정된 형태가 전통적인 회로에 비해 0 dBm 입력 전력에서 출력 전력을 160% 증가시키는 것을 달성하기 위해 제안됩니다. 또한 쇼트키 다이오드 기반의 RF 에너지 하베스팅 회로 성능이 실제 및 시뮬레이션 결과와 함께 연구됩니다.
Jabbar 외 (Mon,)은 이 질문을 연구했습니다.
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