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O efeito Spin Hall (SHE) possibilita a conversão de carga em spin por meios elétricos e é promissor para aplicações em spintrônica. Aqui, relatamos sobre o efeito Spin Hall intrínseco no material ferroelectrico prototípico HfO2 com dopagem de carga usando cálculos de teoria do funcional de densidade e análise teórica. Mostramos que os deslocamentos ferroelectricos são insensíveis à dopagem de carga e são sustentados até uma alta concentração de dopagem de 0,4 elétrons ou lacunas por volume de célula unitária. Além disso, a alta condutividade Spin Hall nas proximidades das bordas da banda é bem preservada. Intrigantemente, demonstramos a grande eficiência do Spin Hall caracterizada pelo ângulo de Spin Hall considerável de ∼0,1 em HfO2 dopado. Esses resultados adicionam uma funcionalidade inexplorada ao HfO2 ferroelectrico e abrem oportunidades para potenciais aplicações em dispositivos.
Zhang et al. (Mon,) estudaram esta questão.
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