Key points are not available for this paper at this time.
Neste artigo, examinamos a resposta dos portadores de carga em um transistor de efeito de campo de grafeno (GFET) de duplo porta. Conduzimos uma investigação sobre as propriedades de entrada-saída de canais de grafeno monocamada e bicamada. Além disso, demonstramos a relação entre potencial de superfície e capacitância quântica utilizando modelagem de circuito equivalente. Oferecemos equações matemáticas precisas que definem os pontos de fronteira que separam regiões distintas. Essas equações garantem a continuidade da matriz Jacobiana, que é crucial para a implementação bem-sucedida de um simulador de circuito. Podemos classificar as características de corrente-tensão (I-V) da grafeno bicamada em três regiões distintas: triodo, unipolar e ambipolar. Os resultados da modelagem de circuito equivalente indicaram que os GFETs tinham características de saída superiores e comportamento de transcondutância em comparação com FETs. Observamos uma correlação direta entre transcondutância e tensão de porta em várias tensões de dreno para fonte. No entanto, com uma tensão de porta mais alta, houve uma queda correspondente no valor da transcondutância. A tensão de limiar para este GFET de duplo porta depende da tensão da porta traseira. O valor de limiar do GFET diminuiu à medida que a tensão da porta traseira aumentou.
Fuad et al. (Qui,) estudaram essa questão.