Modificación periférica de selenio de moléculas de fluorescencia retardada activadas térmicamente de multi-resonancia para diodos emisores de luz orgánicos azules de alto rendimiento

Resumen Las moléculas de fluorescencia retardada activadas térmicamente de multi-resonancia (MR-TADF) han atraído mucha atención en la academia debido a sus propiedades fotoelectrónicas únicas. Sin embargo, los emisores MR-TADF suelen mostrar una tasa de cruce intersistema inverso (RISC) lenta, lo que resulta en un alto descenso de eficiencia de los diodos emisores de luz orgánicos (OLED) y limita seriamente su desarrollo posterior. Aquí se presenta una modificación periférica de selenio (Se) para las moléculas MR-TADF para promover el proceso RISC mientras se mantiene la emisión de banda estrecha para OLED azules de alto rendimiento. En comparación con las moléculas parentales (NBN y t BuNBN), SeNBN y Se t BuNBN exhibieron un valor de ancho completo a la mitad de la máxima (FWHM) más estrecho de 23 nm y propiedades de fluorescencia retardada más evidentes con una alta eficiencia de fluorescencia retardada de hasta el 86%, una vida útil retardada más corta de 2.4 µs así como una tasa de RISC más rápida de 3.34×10⁵ s⁻¹. Por lo tanto, se logran OLED de alto rendimiento basados en estos dos emisores MR-TADF modificados con Se con una alta eficiencia cuantum externa máxima (EQE) de hasta el 25.5% y caídas de eficiencia extremadamente suprimidas del 3.9% a 100 cd m⁻² y del 24.4% a 1000 cd m⁻². Este trabajo demostró que la introducción del átomo periférico de Se puede lograr semiconductores orgánicos de alto rendimiento con emisión de banda estrecha y constante de tasa RISC rápida para dispositivos optoelectrónicos orgánicos de alto rendimiento.