Células solares de contato traseiro interdigitação do tipo p (pIBC) representam uma alternativa promissora à tecnologia atualmente dominante de Contato Passivado por Óxido de Túnel (TOPCon), utilizando o esquema de metalização industrialmente estabelecido de Células com Emissor e Traseira Passivados (PERC) para a base do tipo p, enquanto incorpora a metalização TOPCon para o emissor polimonocristalino do tipo n. Neste estudo, apresentamos os resultados dos esforços de otimização visando aumentar a eficiência das células pIBC fabricadas em nosso laboratório, minimizando perdas induzidas pela metalização. Pastas de alumínio com diferentes teores de silício foram utilizadas e a temperatura de sinterização foi ajustada. Essas modificações resultaram em uma redução na perda de Voc induzida pela metalização de alumínio para 5 mV, além de valores de resistência de contato abaixo de 1 mΩ.cm². Além disso, a redução da espessura do n-polySi levou a uma diminuição na absorção de portadores livres e um aumento em Jsc. Finalmente, alcançamos precursores de células não metalizadas exibindo valores de iVoc entre 730 e 740 mV e uma eficiência de célula solar campeã de 23,3%.
Rachdi et al. (Ter,) estudaram esta questão.