PulseExploreJournal ClubDebatesTrendingResearchersJournals
Instagram
HomeExploreJournal ClubTrending
Synapse
⌘+K
Synapse
March 29, 2026Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики / JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters)0 citations

Электромагнитное увлечение носителей заряда в двумерной системе с полубесконечным затвором посредством экранированных плазмонов

View Full Paper
IMI.M. MoiseenkoDSD.A. SvincovZDZ.A. Devizorova

Key Points

  • The research aims to investigate the enhancement of photon engagement effects in a two-dimensional electronic system caused by a semi-infinite metal gate.
  • Conducted diffraction analysis for a two-dimensional system with a semi-infinite metal gate.
  • Examined the effect of electromagnetic fields on charge carriers near the gate surface.
  • Calculated photovoltage generated by photon engagement.
  • Established a link between the effectiveness of photon engagement and the dimensions of the system.
  • Identified optimal conditions for sensitivity in the presence of inductive conductivity.
  • Found that electromagnetic forces push charge carriers under the gate contrary to typical behavior.

Abstract

Генерация фототока посредством эффекта фотонного увлечения обеспечивает очень быстрое детектирование излучения со временем отклика, ограниченным релаксацией импульса. В то же время, фотонное увлечение в объемных однородных образцах мало из-за малого импульса фотонов. Мы показываем, что край металлического затвора, расположенный над двумерной электронной системой, создает сильно неоднородное электромагнитное поле, которое усиливает эффект увлечения. Мы изучаем фотонапряжение, вызванное эффектом фотонного увлечения, используя точное решение задачи дифракции для двумерной системы с полубесконечным металлическим затвором. Мы показываем, что единственными нетривиальными безразмерными параметрами, определяющими эффективность фотонного увлечения, являются проводимость двумерной системы, нормированная на импеданс свободного пространства η, и расстояние между затвором и двумерной электронной системой, нормированное на длину волны падающего излучения d/λ. Для падающей волны, поляризованной перпендикулярно краю затвора, чувствительность максимальна для индуктивной двумерной проводимости с Imη ∼ 1 и Reη ≪ 1 и становится очень малой в случае емкостной проводимости двумерной системы. Электромагнитная пондеромоторная сила толкает носители заряда под затвор при произвольной двумерной проводимости, причем направление силы противоположно направлению силы при торцевом контакте металл-двумерная система. Эти закономерности объясняются доминирующей ролью экранированных двумерных плазмонов в формировании фотонапряжения.

Ask AI
Helpful
Bookmark
Share
View Full Paper

Cite This Study

Moiseenko et al. (2025) studied this question.

synapsesocial.com/papers/69c8c25dde0f0f753b39ca48https://doi.org/10.7868/s3034576625120056
Ask AI
Helpful
Bookmark
Share
View Full Paper