Key points are not available for this paper at this time.
Wir berichten über die erste Demonstration einer Dual-Metall-Gate-Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter (CMOS)-Technologie, die Titan (Ti) und Molybdän (Mo) als Gate-Elektroden für die N-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (N-MOSFETs) bzw. P-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (P-MOSFETs) verwendet. Der Dielektrikumstapel besteht aus einer Silizium-Oxy-Nitrid-Grenzschicht und einer Silizium-Nitrid (Si/sub 3/N/sub 4/)-Dielektrikumsschicht, die durch einen schnellen thermischen chemischen Dampfabscheidungsprozess (RTCVD) hergestellt wurde. C-V-Eigenschaften zeigen vernachlässigbare Gate-Depletion. Carrier-Mobilitäten, die mit dem durch das universelle Mobilitätsmodell für Siliziumdioxid (SiO/sub 2/) vorhergesagten Werten vergleichbar sind, werden beobachtet.
Yeo et al. (Dienstag) untersuchten diese Frage.