침전 조건이 (Al1−xScx)N 얇은 필름의 강유전 특성에 미치는 영향

(Al1−xScx)N (x = 0–0.34) 얇은 필름의 강유전성을 다양한 두께에서 조사하였다. (Al1−xScx)N 필름은 400 °C에서 (111)Pt/TiOx/SiO2/(001)Si 기판 위에 순수 N2 가스 또는 N2와 Ar 가스의 혼합물 하에서 Al 및 Sc 타겟을 사용하는 무선 주파수 이원 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 준비되었다. N2 가스 하에서 증착된 필름은 N2 + Ar 혼합물 하에서 증착된 필름보다 더 큰 잔여 편극을 나타냈다. N2 가스 하에서 증착된 약 140 nm 두께의 필름에 대해 x = 0.10–0.34에서 강유전성이 관찰되었다. x = 0.22 필름은 편극-전기장 곡선과 양수-하강-하강 측정으로부터 두께 48 nm까지 강유전성을 보였다. 9 nm 두께 필름의 강유전성도 비선형 유전율 주사 측정으로 확인되었다. 이러한 결과는 강유전 편극이 이전 연구에서보다 훨씬 더 넓은 조성과 두께를 가진 필름에서도 전환될 수 있음을 보여준다.