電子スピン共鳴によるシリコン-シリコン酸化物構造の研究 I

液体窒素温度において、P A、P B、P Cと名付けられた3種類の常磁性中心がシリコン-シリコン酸化物構造内で発見された。P A (g=∼2.000, Δ H=∼4 Oe)および異方的g値を持つP B (g=∼2.000∼2.010, Δ H=∼6 Oe)は酸化物中にあり、異方的g値をもつP C (g=∼2.06∼2.07, Δ H=∼9 Oe)はSi-SiO2インターフェース近くのシリコン中に存在する。P Bの分布は、インターフェースから約400Åの範囲内で最大濃度を持つことが成功裏に特定された。P AとP Bは、シリコンが乾燥した酸化雰囲気中で酸化されるか、Si-SiO2が高温から室温に約500°C/secの冷却速度で冷却されるときに現れる。P Cは、Si-SiO2が高温で加熱された後、室温まで急速に冷却されるか、1000°Cのような高温下で10分間水素を含む環境にさらされると現れる。P Bは、Si-Oネットワーク内に非結合の軌道電子を持つ三価シリコン -Si·に帰属される。中心のさまざまな挙動のメカニズムについても詳細に議論されている。