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초록 금속 할라이드 페로브스카이트는 광전지(PV) 및 발광 다이오드(LED) 분야에서 효율성이 이미 확립된 기술과 비교할 수 있을 정도로 광전자 장치 분야를 빠르게 발전시켰습니다. 그러나 보고된 대부분의 페로브스카이트 장치는 실험실 규모의 용액 처리 방법을 사용하여 제작되었습니다. 반도체 산업에서 널리 사용되는 성숙한 기술인 열 증발(TE) 방법은 대면적 및 대규모 제작을 위한 유망한 대안 기술이 될 수 있습니다. 또한 TE 방법은 독성 용매가 없고, 필름 두께를 쉽게 조절할 수 있으며, 기존 산업과 호환됩니다. 이 리뷰는 먼저 페로브스카이트 필름의 성장 메커니즘을 강조하면서 TE 방법의 기초를 제시합니다. 이어서 열 증발된 페로브스카이트 기반 광전자 장치, 특히 태양 전지 및 발광 다이오드의 진행 상황을 설명합니다. 마지막으로 TE 기술을 통한 장치 지향 설계 원칙이 요약되고 향후 개발 기회가 개관됩니다.
Du et al. (Mon,)은 이 질문을 연구했습니다.
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