Diodos láser de estructura de múltiples pozos cuánticos basada en InGaN

Los diodos láser (LDs) de estructura de múltiples pozos cuánticos (MQW) de InGaN fabricados a partir de materiales de nitruro de III-V se cultivaron mediante deposición de vapor químico metal-orgánico sobre sustratos de zafiro. La cara del espejo para la cavidad láser se formó mediante el grabado de películas de nitruro de III-V sin desgarrar. Como capa activa, se utilizó la estructura MQW de InGaN. Los LDs MQW de InGaN produjeron 215 mW a una corriente directa de 2.3 A, con un pico agudo de salida de luz a 417 nm que tuvo un ancho total a la mitad del máximo de 1.6 nm bajo la inyección de corriente pulsada a temperatura ambiente. La densidad de corriente umbral láser fue de 4 kA/cm². La longitud de onda de emisión es la más corta jamás generada por un diodo láser semiconductor.