A diferencia de la gran mayoría de los trabajos sobre transferencia simultánea de información y energía inalámbrica que proporcionan límites teórico-informáticos para la arquitectura de receptor separada, en este trabajo nos centramos en el receptor integrado y proporcionamos un límite inferior de capacidad de canal. Para ello, proporcionamos una aproximación cerrada ajustada para la matriz de transición de probabilidad del canal aprovechando la expansión de Taylor de 4to orden de la curva característica corriente-voltaje de un diodo Schottky utilizado para la rectificación. Los resultados numéricos revelan que la consideración de la distribución gamma como una distribución de entrada conduce a un límite inferior de capacidad de canal ajustado, en contraste con otras distribuciones de entrada, como las de Rayleigh y uniforme. Además, los resultados revelan que la consideración del término de 4to orden en la expansión de Taylor conduce a una capacidad notablemente mayor con respecto al modelo basado en el término simplificado de 2do orden.
Ntontin et al. (Tue,) estudiaron esta cuestión.