Key points are not available for this paper at this time.
우리는 분자 동역학(MD) 시뮬레이션을 기반으로 실리콘 나노와이어의 열 전도도를 조사합니다. 정사각형 단면을 가진 나노와이어의 시뮬레이션된 열 전도도는 강체 및 자유 경계 조건 모두에서 광범위한 온도(200–500 K)에서 벌크 Si 결정의 약 두 배 수준으로 작음을 발견했습니다. 경계 산란을 기반으로 MD 결과를 설명할 가능성을 탐색하기 위해 볼츠만 전송 방정식의 해결책을 사용합니다.
Volz et al. (Mon,)는 이 질문을 연구했습니다.