ナノメートル厚のイットリウム鉄ガーネット薄膜の極低ダンピング

ナノメートル厚さのイットリウム鉄ガーネット（YIG）薄膜が、極めて低ダンピングを示すことが報告されました。薄膜は常温でスパッタリングによって堆積され、その後高温でO₂中でアニーリングされました。22nm厚のYIG薄膜はギルバートダンピング定数が(8.58 ± 0.21) × 10^-5を示し、ナノメートル厚の磁性薄膜で報告された中で最も低いダンピング値を代表しています。この薄膜は、2.83 MHz/Oeのジャイロマグネティック比と、4 M₀ = 1766 Gの飽和誘導を有しており、いずれも単結晶YIGバルク材料の値に非常に近いです。薄膜は非常に滑らかな表面を持ち、rms表面粗さは約0.13 nmです。