単層グラフェンにおける光誘起テラヘルツ導電率の調整：光ポンプテラヘルツプローブ分光法

準備された単層グラフェン（AG）（フェルミエネルギーE₅が-1804meVで無意図的にホールドープされている）、窒素ドーピング補償グラフェン（NDG）でE₅-10 meV、熱処理されたドープグラフェン（TAG）の光ポンプテラヘルツプローブ差動伝送測定を定量的に調査し、光誘起動的テラヘルツ導電率の符号の逆転を理解します。AGとTAGでは負の値ですが、NDGでは正の値です。我々は、光励起されたキャリアと既存のキャリアとの間のクーロン相互作用による二次的なホットキャリアの複数生成を提案した最近のメカニズムが、光誘起導電率の符号およびその大きさの変化を説明できることを示します。フェルミエネルギーE₅と運動量緩和時間といった制御パラメータに基づいた定量的な推定を行います。さらに、光励起キャリアの冷却を、ホットキャリアと音響フォノンとの間の欠陥媒介衝突を含むスーパーコリジョンモデルを用いて分析し、変形ポテンシャルの推定を行います。