RAM resistiva de cruce basada en selector de umbral superlineal asistido por campo

Informamos sobre una memoria de acceso aleatorio resistiva (RRAM) pasiva de cruce 1S1R apilable en 3D. Se ha superado el desafío de la corriente de fuga en la integración de RRAM de cruce utilizando un selector de umbral superlineal asistido por campo. El selector ofrece una alta selectividad de >10 7 y una pendiente de conmutación aguda de 10 11. Además, demostramos la integración 1S1R en la que la corriente de umbral del selector es un ratio ON/OFF de 10 2 y una selectividad de >10 6 durante el ciclo. Combinado con RRAM controlado por corriente propia, el 1S1R permite aplicaciones de memoria de alta densidad y alto rendimiento.