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Los semiconductores bidimensionales (2D) de alta movilidad son deseables para nanoelectrónica mecánicamente flexible de alto rendimiento. En este trabajo, reportamos los primeros transistores de efecto de campo (FETs) de fósforo negro (BP) flexibles con movilidades de electrones y huecos superiores a las alcanzadas anteriormente con otros transistores semiconductores flexibles de capas más estudiados como MoS2 y WSe2. Los FETs ambipolares de BP encapsulados y con puerta inferior en poliimida flexible lograron una movilidad de portadores máxima de aproximadamente 310 cm(2)/V·s, con una modulación de corriente de efecto de campo que supera 3 órdenes de magnitud. La funcionalidad ambipolar del dispositivo y su alta movilidad se emplearon para realizar circuitos esenciales de sistemas electrónicos para tecnología flexible, incluyendo un inversor digital ambipolar, un duplicador de frecuencia y amplificadores analógicos que presentan una ganancia de voltaje superior a otros amplificadores flexibles semiconductores de capas reportados. Además, demostramos el primer demodulador de amplitud modulada (AM) flexible de BP, una etapa activa útil para receptores de radio, basado en un solo transistor ambipolar de BP, que resulta en señales audibles cuando se conecta a un altavoz o auricular. Además, los transistores de BP presentan robustez mecánica de hasta un 2% de strain uniaxial y hasta 5000 ciclos de flexión.
Zhu et al. (Wed,) estudiaron esta cuestión.