高コアシビティ磁性媒体におけるスイッチング速度限界の測定

パルス幅t≧0.64 nsで高コアシビティ磁性媒体のスイッチング速度を測定可能なマイクロストリップラインパルスフィールドシステムについて論じる。γ-Fe₂O₃の結果は、ThornleyとWilliams（1974）の以前の研究と良い一致を示している。高コアシビティサンプルを飽和からゼロ残留磁化へと切り替えるために、DCバイアスフィールドHₘをパルスフィールドに追加し、結果をスイッチング定数Sₘで分析した。Hₘ=400 Oeでは、Sₘ(コバルト-γ-Fe₂O₃)=158 ns-Oe; Hₘ=700 Oeでは、Sₘ（バリウムフェライト）=135 ns-Oe; Hₘ=720 Oeでは、Sₘ（金属粒子）=84 ns-Oe。Sₘの値はバイアスフィールドが減少するにつれて増加し、特にバリウムフェライトに対して、ゼロバイアスのバリウムフェライトテープが金属粒子テープよりも3倍遅くなることを示している。