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La memoria flash NAND 3D apilada en canales es un candidato muy prometedor para la memoria flash NAND de próxima generación. Sin embargo, hay un problema inherente en la variación del tamaño de las celdas entre los canales apilados debido a la pendiente de grabado disminuida. En este documento, se estudia el efecto de la variación de las celdas sobre las características de programación de pulso de paso incremental (ISPP) con simulación TCAD 3D. Se investiga la degradación de la pendiente ISPP del canal elíptico. Para resolver ese problema, se propone un nuevo método de programación, y podemos aliviar la variación de VT entre celdas y reducir el tiempo total de programación.
Kim et al. (Thu,) estudiaron esta cuestión.