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Este documento describe una técnica para medir la densidad superficial de los defectos en monocapas autoensambladas (SAMs) de hexadecanetioletas sobre oro que conducen al grabado del oro cuando el sistema se graba con una solución acuosa de ferricianuro. Esta técnica utiliza dos etapas de amplificación a través de reacciones químicas para convertir defectos de pinhole en SAMs en hoyos de escala micrónica fácilmente visualizables en un soporte de Si subyacente. Con esta técnica, es posible evaluar la densidad de defectos en SAMs y en las estructuras preparadas utilizando SAMs como resistencias bajo condiciones que pueden encontrarse en el procesamiento litográfico. En la actualidad, la densidad más baja de hoyos que hemos medido para SAMs de hexadecanetioletas sobre oro de 50 nm de grosor es de ∼5 hoyos/mm². Esta densidad es un límite superior para la densidad de defectos que exponen oro desnudo a la solución de grabado o que comprenden regiones de SAM lo suficientemente delgadas como para que la SAM no pueda bloquear el acceso del grabador al oro.
Zhao et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.
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