n형 GaAlAs에서의 장수명 광도전도 효과

Te가 도핑된 Ga1−xAlxAs(0.25≲x≲0.7)에서 장수명(τ∼시간, T≲60 °K) 광도전도 효과가 관찰된다. 광자극 시 전자 이동도가 현저히 감소하는 홀 효과 데이터 분석은 기부자 준위가 관련되어 있음을 보여준다. 비슷한 효과가 Se- 및 Sn-도핑된 Ga1−xAlxAs(x=0.3)에서도 관찰된다. 일반적으로 실온 전자 농도와 같은 범위의 효과 크기는 Te 농도와 선형으로 상관관계를 나타내며, 일정한 농도의 배경 불순물이 이 효과의 원인이 아님을 보여준다. 기부자 준위의 열(0.12 eV) 및 광학(1.1 eV) 이온화 에너지 간의 큰 차이는 큰 격자 이완을 나타낸다. 저온에서 광자극 전자 집합의 시간 감쇠 측정으로부터 기부자 준위에 의한 전자 포획의 잠재적 장벽은 180 meV(x=0.36)로 추정된다. 실온으로의 외삽은 주입 레이저에서 예상되는 전자 농도에 대해 약 0.5 nsec의 특성 감쇠 시간을 제공한다.