ペンタセン薄膜における二重成長の動態

以前の研究では、シリコン酸化物上に堆積したペンタセン薄膜は基板によって誘導される「薄膜」相で構成されており、ペンタセンのバルク相は厚い膜にのみ検出されることが確立されています。私たちは、バルク相が最初の単層の段階で核形成し、膜の成長が進むにつれて核形成が続くことを示します。これは、薄膜相の成長を影にしています。さらに、「薄膜」相とバルク相の間の遷移は、ヘテロエピタキシャル系で観察されるように連続的なものではなく、むしろ二つの相は独立して核形成し、成長することを発見しました。