Modelos MOS de alta precisão para design assistido por computador

Este artigo apresenta modelos de dispositivos precisos (1-3 por cento) para descrever as características elétricas I₃-V₃ de transistores PMOS de canal superficial em forte inversão e transistores PMOS de canal enterrado em modo de depleção implantados por íons. O foco principal é uma descrição precisa da mobilidade transversal dos portadores com a distância e o campo elétrico normal em estruturas de canal longo. A influência do viés do substrato na mobilidade dos portadores no dispositivo de canal superficial é modelada teoricamente e verificada por experimento. A mobilidade dos portadores nos dispositivos de canal enterrado é constante, conforme determinado experimentalmente com medições de C-V e condutância de diodo em portas. Os parâmetros de modelagem são determinados em V₃ = 0 com um sistema de aquisição de dados automatizado controlado por microprocessador. Os modelos são analisados com um critério de estimação de mínimos quadrados e um alto grau de consistência interna é aparente a partir da significância estatística dos resultados.