Um modelo preciso de transistor MOS de grande sinal para uso em design assistido por computador

Alguns modelos de transistores MOS para design assistido por computador, cada um com uma precisão e complexidade específicas, são apresentados. Esses modelos se aplicam antes da saturação e na região de saturação. Antes da saturação, a teoria proposta leva em conta o comportamento da mobilidade em relação às polarizações de gate-channel e drain-source. Na região de saturação, o efeito dos portadores móveis na camada de carga espacial drain-channel em uma análise bidimensional aproximada é considerado. Este modelo foi verificado para características de corrente contínua I₃ (V₃ₒ) e diferentes comprimentos de canal, resistências dinâmicas na região de saturação, características de transferência de vários inversores e resposta dinâmica desses circuitos. A precisão está dentro de 5 por cento.