그래핀의 자기 라만 스펙트럼에서 전자 여기의 역할

우리는 단층 및 이층 그래핀의 라만 스펙트럼에서 저에너지 전자 여기의 특징을 조사합니다. 라만 스펙트럼에 대한 주요 기여는 그래핀 격자의 점군 C-6v의 비축소 표현 A(2)에 속하는 전자-홀(e-h) 쌍의 밴드 간 상호작용으로 인해 발생하며, 이는 들어오는 광자와 나가는 광자의 교차 편광으로 특징지어집니다. 높은 자기장에서, 이는 선택 규칙 n(-) -> n(+)를 가진 전자-홀 간 랜다우 레벨(LL) 전이의 여기로 나타납니다. 더 약한 라만 활성 간 LL 모드도 존재합니다. 그 중 하나는 적외선 흡수 과정과 유사한 선택 규칙 n(-) -> (n +/- 1)(+)을 가지지만, 생성된 e-h 여기가 비축소 표현 E-2 (E-1이 아님)에 속하며 광학 포논 모드에 결합하여 강한 자기장에서 라만에서 광학 포논 G선과의 반교차를 수행하게 됩니다. 이러한 반교차로 인해 G선이 획득하는 미세 구조는 캐리어 농도, 도핑의 불균일성 및 샘플의 불균일한 변형의 존재에 따라 달라집니다.