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Os dispositivos de memória baseados em solução demonstraram um excelente comportamento de comutação bipolar com uma alta razão de comutação resistiva de 103, excelente durabilidade de mais de 1000 ciclos, tempo de retenção estável maior que 104s em temperaturas elevadas e velocidade de programação rápida de 250 ns.
Vishwanath et al. (Sex,) estudaram esta questão.
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