AlGaN基纳米多孔DBR反射率提升及其机理研究

2026年3月4日中北大学 宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室的苏栋梁团队和中国科学院半导体研究所 宽禁带半导体研发中心的郭亚楠、刘乃鑫、闫建昌团队在《发光学报》发文，介绍了其在紫外波段谐振腔发光二极管和垂直腔面发射激光器领域的研究进展，苏栋梁团队采用Si浓度梯度式渐增的掺杂设计，显著改善了纳米孔道孔径与孔隙率的一致性，提高了纳米多孔DBR的反射率，为实现紫外波段电注入的RCLED和VCSEL器件提供重要参考。