Mediciones potenciométricas de las subbandas divididas por espín en un gas electrónico bidimensional

La densidad de estados de los portadores en un pozo cuántico simple de InAs de alta movilidad está dividida por espín debido al efecto Rashba. La asimetría favorece los estados de espín hacia abajo para portadores con momento positivo y los estados de espín hacia arriba para portadores con momento negativo. Imponer una corriente de sesgo causa desplazamientos inequivalentes del potencial químico de la subbanda de espín, que se detectan utilizando un electrodo de película ferromagnética y una medición de voltaje en circuito abierto. Las mediciones realizadas en tres muestras en un rango de 77<T<296K demuestran la detección de espín en una interfaz ferromagneto-semiconductora y corroboran resultados experimentales previos de resistencia interfacial dependiente del espín.