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Das vorliegende Papier veranschaulicht eine Reihe theoretischer Ergebnisse zu Nonequilibrium-Phononeffekten, basierend auf einem neuartigen Monte-Carlo-Algorithmus. Die Details des numerischen Verfahrens werden angegeben. Es sind keine Annahmen zur Form der Phonon- oder Elektronendiskussionen erforderlich. Der Schwerpunkt liegt auf der Untersuchung von LO-Phonon-Störungen als Ergebnis der Relaxation von fotoangeregten Ladungsträgern in polaren Halbleitern. Bulk GaAs und InP sowie GaAs-AlₗGa₁-ₗAs-Heterostrukturen werden analysiert. Es wird eine gute Übereinstimmung mit verfügbaren experimentellen Ergebnissen aus zeitaufgelöster Lumineszenz und Raman-Messungen gefunden. Die starke Phononemission durch die hochenergetischen fotoangeregten Elektronen in der ersten Phase ihrer Relaxation (innerhalb weniger Zehntel-Picosekunden) bringt die Phononverteilung stark aus dem Gleichgewicht. Nach der Anregung bringen die Wiederabsorption der emittierten Phononen durch die Träger und nicht-elektronische Phonondekadenzprozesse die Verteilung zurück auf ihren Gleichgewichtswert.
Lugli et al. (Sat,) untersuchten diese Frage.