Resumo: Os calcogenetos de ferro 2D (FeX, X = S, Se, Te) estão emergindo como uma classe atraente de materiais, devido às suas intrigantes propriedades físicas (por exemplo, magnetismo 2D, supercondutividade na interface) e grandes potenciais em aplicações de próxima geração (por exemplo, spintrônica, computação quântica). Recentemente, o FeS tem atraído atenção particular devido à descoberta de altermagnetismo em estado maciço. No entanto, as propriedades físicas intrínsecas do FeS 2D ainda são incertas, já que as sínteses de FeS de alta qualidade com espessuras limitadas a 2D continuam desafiadoras. Neste trabalho, relatamos as sínteses diretas de flocos de FeS 2D de alta qualidade, com densidade de defeitos baixa e, portanto, estequiometria rigorosa, por meio de uma estratégia de deposição química de vapor confinada em espaço (CVD). Significativamente, observamos uma magnetoresistência não saturada com um comportamento de crossover (positivo-negativo-positivo ao diminuir a temperatura de ≈350 para ≈2 K) e uma condutividade ultra-alta (≈2.8 × 10⁷ S m⁻¹ a 2 K) no FeS 2D. Aproveitando essa alta condutividade e robusta estabilidade ao ar, demonstramos o FeS 2D como eletrodos de contato ideais em transistores de efeito de campo baseados em MoS₂, alcançando uma mobilidade mais de 3 vezes superior à do dispositivo com contatos de Ti/Au. Este trabalho deve, portanto, promover as explorações das propriedades fundamentais de materiais não em camadas 2D e suas aplicações em dispositivos eletrônicos/spintrônicos de próxima geração.
Zhou et al. (Thu,) estudaram esta questão.