非共役シリコンコアスピロビフルオレン誘導体Ir-錯体をドープした高効率赤色燐光OLED

要旨 新しいホスト材料であるシリコンコアスピロビフルオレン誘導体（SBP‐TS‐PSB）が、赤色燐光有機発光ダイオード（OLED）のために設計、合成、特性評価されました。SBP‐TS‐PSBは優れた熱的および形態的安定性を有し、赤色燐光OLEDのホストとして高い発光効率（EL）を示します。SBP‐TS‐PSBをホストとし、赤色燐光イリジウム（III）錯体をエミッタとしたデバイスの電気燐光特性が調査され、これらのデバイスはホスト材料として4,4′‐N , N ′‐ジカルバゾール‐ビフェニル（CBP）を使用した参照デバイスと比較して高いEL性能を示します；例えば、(piq) 2 Ir(acac)‐ドープされたSBP‐TS‐PSBデバイスは、η ext = 14.6%の最大外部量子効率、10.3 lm W −1の出力効率およびJ = 1.5 mA cm −2における国際照明委員会の色座標(0.68, 0.32)を示します。一方、CBPホストを使用したデバイスの最大η extは12.1%です。これらの高性能は、主にホストからゲストへの効率的なトリプレットエネルギー移動と、スピロビフルオレン基の二極性特性による荷電バランスの改善によって説明できます。