Espectroscopia de absorção transiente ultrarrápida de semiconductores 2D: uma revisão

Apesar das décadas que se passaram desde a descoberta da espectroscopia de absorção transiente ultrarrápida e sua aparente simplicidade, este método ainda é frequentemente sujeito a erros experimentais e interpretações equivocadas quando aplicado a semiconductores 2D. A razão para isso reside não apenas na natureza única dessas amostras extremamente finas, mas também nas diferentes configurações experimentais e métodos de processamento de dados utilizados. Além disso, uma vez que este tipo de espectroscopia foi originalmente usado para caracterizar a dinâmica de relaxamento ultrarrápido de portadores fotoexcitados em compostos químicos, nanostruturas coloidais e moléculas gasosas, uma abordagem puramente 'molecular' para interpretar espectros de absorção transiente de semiconductores 2D é frequentemente proposta. No entanto, essa abordagem é fundamentalmente inaplicável a semiconductores de filme fino crescidos ou exfoliados mecanicamente em substratos transparentes. Esta revisão considera os resultados experimentais recentes da espectroscopia de absorção transiente ultrarrápida de semiconductores 2D em uma ampla faixa espectral de vários THz a UV (∼1000 THz), com base na abordagem de 'estado sólido' para sua interpretação. Também destacamos erros típicos que surgem na medição, processamento e interpretação de espectros de absorção transiente de semiconductores 2D.