Estudos resolvidos em estado de biexcitons e dinâmicas de aprisionamento na superfície em pontos quânticos semicondutores

Biexcitons em pontos quânticos de CdSe coloidais fortemente confinados foram investigados com seletividade de estado excitônico combinada com precisão temporal de 10 fs. Dentro dos primeiros 50 fs, o primeiro estado excitado do biexciton foi observado. Ao comparar com 100 ps, foram observados biexcitons de caráter misto, compostos por um exciton central e um exciton aprisionado na superfície. A dependência do tamanho das energias de ligação dos biexcitons é relatada para estes biexcitons específicos. A análise das assinaturas espectrais de cada estado biexcitônico fornece uma medida quantitativa das taxas de aprisionamento de estados excitados aumentadas na superfície dos pontos quânticos. Ao comparar os sinais biexcitônicos com os sinais de preenchimento de estado, mostramos que são principalmente os buracos que estão aprisionados na interface na escala de tempo de 100 ps.