高性能ロバストメモリ用途のための2D磁気ヘテロ接合におけるエクスチェンジバイアスの操作

要旨 エクスチェンジバイアス（EB）効果は、磁気データストレージにおける高度に感度が高く、ロバストで、高密度のスピントロニクスデバイスの開発において疑いの余地がない役割を果たしています。しかし、弱いEBフィールド、低いブロッキング温度、および変調手法の欠如は、van der Waals（vdW）スピントロニクスデバイスにおけるEBの応用を深刻に制限しています。ここでは、圧力工学を利用して、二次元（2D）FePSe3 /Fe3GeTe2ヘテロ構造のvdW間隔を調整しました。EBフィールド（H EB、29.2 mTから111.2 mTへ）およびブロッキング温度（T b、20 Kから110 Kへ）が大幅に強化され、高感度でロバストなスピンバルブが示されました。興味深いことに、このEB効果の強化は、Fe3GeTe2の単一ドメイン特性により、露出したFe3GeTe2にも及びました。我々の発見は、強い層間結合を持つ磁気vdWヘテロ構造の生成、探求、および調整の機会を提供し、将来的にカスタマイズ可能な2Dスピントロニクスデバイスを可能にします。