OLED性能における分子軌道エネルギーレベルの役割

要旨豊富な分子は、有機発光ダイオード（OLED）から望ましい高効率を達成するための無数のデバイスアーキテクチャの組み合わせを可能にします。OLED材料と施設の相対的な高コストのため、シミュレーションアプローチは、この分野を迅速かつ安全に前進させるために不可欠になっています。ここでは、最先端のシミュレーションアプローチを使用して、OLEDデバイスにおけるエキシトンの再結合に対する分子軌道エネルギーレベルの効果を調査したことを示します。研究したデバイスは、ホール輸送材料（HTM）として1,1-bis(di-4-tolylamino)phenylcyclohexane（TAPC）、ホストとして4,4′-Bis(9-carbazolyl)-1,1′-biphenyl（CBP）、電子輸送材料として2,2',2”-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)（TPBi）またはbathophenanthroline（Bphen）を含んでいます。結果は、エキシトン再結合がエネルギーレベルの整列、注入バリア、および電荷移動度に非常に敏感であることを明らかにします。低エネルギーバリア（TPBiベースのデバイスよりも10の6倍大きい）。電子移動度が5.2 × 10 −4 cm 2 V −1 s −1のBphenの高いキャリア移動度は、低い電荷蓄積につながり、したがって高いエキシトンダイナミクスをもたらす可能性があります。本研究は、効率的な有機化合物を開発し、優れた性能を持つデバイスを設計する将来の努力をスムーズに進めるために、適切なエネルギーレベルの整列に関する深い分析を成功裏に投影しました。