Al2O3パッシベーションされたホウ素エミッタ上の高効率n型シリコン太陽電池

n型シリコン上に製造された太陽電池の全潜在能力を活用するためには、Bドープエミッタ上で優れたパッシベーションを達成する必要があります。試験構造に関する実験的研究と理論的考察は、負に帯電した誘電体層がこの目的に理想的であることを示しています。したがって、本研究では、高効率n型シリコン太陽電池の表面パッシベーション層として負の帯電誘電体であるAl2O3を適用しました。この前面表面パッシベーション層により、23.2%の確認された変換効率が達成されました。オープン回路電圧Vocは703.6mVであり、金属化された領域を含むエミッタ飽和電流密度J0eの上限は29fA/cm2と評価されました。これは、高濃度のp型c-Siの優れたパッシベーションがデバイスレベルでAl2O3を適用することで得られることを明確に示しています。