Modelagem de Fenômenos de Histerese em Transistores de Efeito de Campo de Nanotubos

Um modelo é desenvolvido para explicar uma histerese observada experimentalmente em transistores de efeito de campo de nanotubos. O modelo explica a histerese através da captura de elétrons em uma camada de óxido. O mecanismo de tunelamento de Fowler-Nordheim é considerado responsável pela injeção de elétrons. A influência de diferentes parâmetros, como a taxa de varredura ou o intervalo da tensão do portão, sobre a histerese é estudada e comparada com resultados experimentais.