The dislocation structure both in the interior and in the surface layer of Cu. Cu–15 wt% Zn and Cu–31 wt% Zn single crystals were studied by means of transmission electron microscopy. The types of dislocation structures depend on the stress amplitude and on the stacking fault energy. This dependence can be expressed by a simple schematic diagram. Further the conditions for microcracks formation, as well as the meaning of the term fatigue damage are discussed. Die Versetzungsstruktur im Innern und auf der Oberflache der Cu-, Cu–15 Gew% Zn- und Cu–31 Gew% Zn-Einkristalle wurde mit Transmissions-Elektronenmikroskopie untersucht. Die Arten der Versetzungsgefuge hangen von der Spannungsamplitude und der Stapel-fehlerenergie ab. Diese Abhangigkeit kann mit einem schematischen Diagramm aus-gedruckt werden. Weiter werden die Bedingungen der Mikrorisbildung. sowie die Bedeutung der Bezeichnung „Ermudungsbeschadigung” diskutiert.
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Lukáš et al. (1971) studied this question.
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