Deposição E Caracterização Eletroquímica De Filmes Finos De Tin Obtidos Por Gaiola Catódica Em Plasma H₂/N₂

Este trabalho investiga a deposição de filmes finos de nitreto de titânio (TiN) por descarga a plasma em gaiola catódica sobre substratos de vidro, em baixa temperatura (300 °C) e curta distância substrato–tampa (7 mm), com o objetivo de avaliar o efeito da relação H₂/N₂ do plasma nas propriedades dos filmes. As deposições foram realizadas a 1 Torr, e os filmes foram caracterizados por difração de raios X, reflectometria e espectroscopia de impedância eletroquímica (EIS). A análise por EIS possibilitou estimar a resistividade elétrica e a estabilidade química, evidenciando condições de deposição que favorecem maior resistência à corrosão. O diferencial deste estudo reside na combinação de: (i) geometria da gaiola catódica com elevado número de furos; (ii) curta distância substrato–tampa de 7 mm, que potencializa os efeitos de cátodo oco; e (iii) abordagem eletroquímica (EIS) para correlacionar processo, microestrutura e propriedades.